zener n.【無線電】齊納。
n. 【無線電】齊納。 “effect, zener“ 中文翻譯： 齊納效應“zener barrier“ 中文翻譯： 齊納防爆柵; 齊納阻擋層“zener breakdown“ 中文翻譯： 【無線電】齊納擊穿。 “zener card“ 中文翻譯： 齊訥卡片“zener current“ 中文翻譯： 【無線電】齊納電流。 “zener diode“ 中文翻譯： 【無線電】齊納二極管，穩壓二極管。 “zener effect“ 中文翻譯： 【無線電】齊納效應。 “zener efficiency“ 中文翻譯： 齊納效應“zener impedance“ 中文翻譯： 齊納阻抗“zener model“ 中文翻譯： 曾納模式“zener peak“ 中文翻譯： 齊納峰“zener region“ 中文翻譯： 齊納區; 雪崩區“zener tunneling“ 中文翻譯： 齊納隧道效應“zener voltage“ 中文翻譯： 【無線電】齊納電壓。 “alloy zener junction“ 中文翻譯： 合金齊納結“doped zener transistor logic“ 中文翻譯： 齊納二極管晶體管邏輯“dtl zener diode“ 中文翻譯： 齊納二極管晶體管邏輯電路“izm …… maximum zener current“ 中文翻譯： 最大齊納電流“landau zener theory“ 中文翻譯： 朗道 齊納理論“silicon zener voltage regulator“ 中文翻譯： 硅齊納穩壓器“temperature-compensated zener diode“ 中文翻譯： 溫度補償齊納二極管“zd zener diode“ 中文翻譯： 鍺二極管“zener avalanche voltage“ 中文翻譯： 齊納雪崩電壓“zener breakdown theory“ 中文翻譯： 稽納雪崩理論“zenenga raisendon“ 中文翻譯： 拉伊森東“zenenga raisedon“ 中文翻譯： 拉伊塞東
zener breakdown |
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That is the reason that all over the countries have never stopped researching for mask jamming technology of radar . at present , the mask jamming source mainly comes from the thermal noise and zener avalanche noise of semiconductor devices . but the noise ’ s quality isn ’ t stabile because of the differences of semiconductor devices each other and the changes of exterior conditions 目前采用的遮蓋性干擾的噪聲源主要來自半導體器件本身的熱噪聲或齊納雪崩噪聲,但各器件本身的不一致性和外界條件變化等因素使噪聲輸出質量不穩定;同時由于此類信號不能再生,不利于科學研究。 |
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Firstly , i provide a brief review of the previous achievements and investigations on the low - dimensional quantum devices and semiconductor superlattice , in which some principal theories such as bloch oscillations , wannier - stark ladder , zener tunneling and related progress in experiments are introduced 首先綜述了過去三十年低維量子器件與半導體超晶格的發展與相關研究，介紹了bloch振蕩、 wannier - stark臺階、 zener隧穿等關鍵理論以及相關實驗方面的進展，并引入簡化模型：緊束縛模型與單帶模型。 |
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We studied the influence of the interface strain and it shows that the lattice mismatch between substrate and film is the main reason of the above observations . expand strain decreases tm - i with increasing resistivity and compressed strain has the opposite effect . using double exchange model of zener these results can be explained qualitatively 27歐姆厘米，轉變溫度是78與154開爾文，磁場強度為7t時，磁阻率為習3及巧6 x結合雙交換模型和不同的應力作用，逐一解釋了產生差異的緣由，其中我們也討論了具有）取向的la 。 |
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Buried zener - based references are frequently used for 12 - bit , 14 - bit , and higher resolution systems because the performance of the buried zener - based references can be extended by incorporating nonlinear temperature compensation networks into the design 在設計中使用非線性溫度補償網絡，掩埋齊納二極管基準的性能可以進一步提升，因此掩埋齊納二極管基準經常用于12位、 14位和更高分辨率的系統中。 |
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We are your specialist for semiconductor diodes and rectifiers : standard to ultrafast recovery , schottky , zener , supressor - diodes , bridge rectifiers , transistors , diacs ; also customized 我們是專門提供二極管以及整流器，例如:標準到超快速恢復，肖特極，穩壓，雙向觸發二極管，橋式整流器，轉換器等等，可以依照客人要求訂做。 |
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The double exchange interaction founded by zener in early 1950 ' s , and developed by anderson and de gennes later is a better theory in describing the conductive behavior in the compounds 最后由anderson等人發展了五十年代初期由zener創立起來的雙交換作用理論，為解釋龐磁電阻效應提供了一條途徑。 |
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Modern voltage references are constructed using the energy - band - gap voltage of integrated transistors , buried zener diodes , and junction field - effect transistors 現代電壓基準建立于使用集成晶體管和帶狀能隙基準、掩埋齊納二極管和結場效應晶體管。 |
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The basis topologies for the band - gap , buried zener , and xfet references are shown in figures 1 , 2 , and 3 , respectively 關于帶隙基準、掩埋齊納二極管和xfet基準的基本拓撲如圖1 、 2和3所示。 |
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The flow stress can be described by temperature - compensated strain rate , the so - called zener - hollomon parameter 利用7055鋁合金高溫塑性變形時穩態流變應力、應變速率( |
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Alloy zener junction 合金齊納結 |